MC方案｜全新升級(jí)——旋轉(zhuǎn)噴淋式顯影方案

EDC濕法顯影刻蝕系統(tǒng)

光刻膠顯影（KrF/ArF）

SU8厚膠顯影

顯影后清洗

PostCMP清洗

光刻膠去除

金屬Lift-off處理

刻蝕微刻蝕處理

新一代的旋轉(zhuǎn)噴淋式濕法處理機(jī)臺(tái)，不僅jinque控制試劑注射，還能夠大大節(jié)約試劑，綠色環(huán)保的濕法處理方案。 

頂蓋閥門(mén)控制技術(shù) 

顯影液注射頭的位置

我們采用dujia的VoD頂蓋閥門(mén)控制技術(shù)，確保在基片中心位置垂直向下噴射，確保樣片表面的試劑受力均勻性。

VS 其他廠(chǎng)商提供的噴射裝置參考如下圖，是從圓弧頂蓋的不同角度傾斜噴射時(shí)，樣片收集到的試劑量不均勻，接觸面受力也不均勻，導(dǎo)致樣片表面顯影的時(shí)間不一致，出現(xiàn)不均勻，有些區(qū)域顯影不夠充分，有些區(qū)域過(guò)度顯影。

噴射角度jinque控制

 我們的噴嘴可隨壓力大小調(diào)節(jié)噴射角度大小（有具體的角度值對(duì)應(yīng)關(guān)系）。

如上圖所示，我方采用的是高jinque控制壓力噴嘴，噴射的扇形角度可以隨壓力和流速予以jinque調(diào)節(jié)?？梢愿鶕?jù)樣片的尺寸大小來(lái)調(diào)節(jié)噴射扇形面積，避免扇形過(guò)大，浪費(fèi)試劑。 

VS 其他國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商采用的是普通噴頭，無(wú)法有效jinque地通過(guò)改變壓力調(diào)節(jié)噴射扇形角度。

干進(jìn)干出

如何做到樣片的“干進(jìn)干出”避免樣品在顯影完后，被腔體內(nèi)的殘液二次污染，非常重要。系統(tǒng)除了顯影以外還需要配備樣品沖洗甩干功能，吹氮功能，腔體內(nèi)壁和頂蓋清洗清洗，樣品背面清洗功能。 

以上功能需確保試劑或者去離子水注射開(kāi)關(guān)jinque控制，無(wú)殘留無(wú)滴漏。

VS國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商目前還不具備氣動(dòng)控制技術(shù)和旋轉(zhuǎn)噴淋后的清洗處理經(jīng)驗(yàn)。

高效的廢液處理方案 

優(yōu)化過(guò)程控制，減少化學(xué)品和消耗品額度使用量。

智能程控，操作方便

配套觸屏控制的SPIN3000軟件，所見(jiàn)即所得。

 可視化操作，該軟件具有方便的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，導(dǎo)入導(dǎo)出，數(shù)據(jù)模擬和實(shí)施記錄功能。

 VS 許多國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商采用的是PLC程序菜單。

配備藍(lán)牙無(wú)線(xiàn)連接

為確保濕法處理的安全性，配備藍(lán)牙無(wú)線(xiàn)連接。

VS 國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商采用的是以太網(wǎng)串口通訊連接。

基片和托盤(pán)

正確的托盤(pán)可確保您的基片在處理過(guò)程中的穩(wěn)固。

 卡式鏤空托盤(pán)是以小接觸面來(lái)固定基片，可對(duì)基片的下方實(shí)現(xiàn)背面沖洗（BSR）。

安全可靠

經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)獨(dú)立測(cè)試

已通過(guò)Intertek®測(cè)試，Intertek®是一家獨(dú)立性認(rèn)證測(cè)試機(jī)構(gòu)。

聯(lián)鎖裝置 

當(dāng)蓋子打開(kāi)時(shí)聯(lián)鎖可防止旋轉(zhuǎn)，控制軟件可以根據(jù)傳感器信息設(shè)置中止和警報(bào)狀態(tài)。相互獨(dú)立的閥門(mén)設(shè)置可防止混合不溶的化學(xué)試劑。

 定制濕站

裝載和操作一體化，完整高效的濕法處理方案。