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    • 2020

      9-27

      等離子刻蝕機一般應用于半導體加工領域,而等離子清洗機則一般應用于材料領域。等離子清洗處理可改變材料的表面化學。因此能改變材料的表面性質。例如,大氣或是氧氣等離子常用在聚合物(例如聚苯乙烯,聚乙烯)表面產生羥基。通常表面從疏水性(高水接觸角)改變至親水性(水接觸角小于30度),并增加表面潤濕性能。等離子處理也能改變其它材料的表面化學(表面性質),如硅、不銹鋼及玻璃。用低溫等離子體在適宜的工藝條件下處理PE、PP、PVF2、LDPE等材料,材料的表面形態發生顯著的變化,引入了多種...

    • 2020

      9-23

      PDMS是一種有機聚合物材料,廣泛應用微流控芯片實驗室。今天我們來介紹有關如何進行PDMS光刻復制,也稱為軟光刻工藝,為您提供一些實驗中的小技巧,優化您的實驗結果。01硅烷化模具的制備*使用模具時,必須使其疏水。SU-8模具中的硅通常具有很強的親水性,因此PDMS對它有良好的親和力,其強度足以使之無法剝離,只能將模具破壞并從頭開始實驗。這里我們使用硅烷功能,一旦在表面上yongjiu粘合,也可使接觸角超過90°,表面疏水。可以使用氣體或液體處理,即通過氣體或連續的液浴將硅烷功...

    • 2020

      9-23

      懸浮活性硅膜厚度測量,適用于MEMS微機電系統應用,光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關重要[1]。在這里,我們已經在一個MEMS微機電系統壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度,使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe,該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量,該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量...

    • 2020

      9-23

      懸浮活性硅膜厚度測量,適用于MEMS微機電系統應用,光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關重要[1]。在這里,我們已經在一個MEMS微機電系統壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度,使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe,該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量,該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量...

    • 2020

      9-22

      旋涂曲線(spincurve)是光刻膠重要參數之一,他給我們選擇光刻膠提供了重要的指導意義。所以我們來介紹一下什么是旋涂曲線?怎樣使用旋涂曲線?如何獲得旋涂曲線?什么是光刻膠旋涂曲線?顧名思義,光刻膠旋涂曲線就是在旋涂工藝下,光刻膠的厚度與勻膠轉速的關系曲線。一般來說,某一固定固含量的光刻膠在相同的勻膠條件下都會有一個相對穩定的膜厚值。這個厚度隨著勻膠轉速的提高而降低。下圖是一個典型的光刻膠旋涂曲線:影響光刻膠旋涂曲線的因素主要有:光刻膠種類和固含量:一般來說,固含量越大,相...

    • 2020

      9-22

      納米制造使用光刻工藝(193nm,EUV,EBL等)涉及廣泛的材料、技術和相關的處理步驟,以便生產明確的納米結構。光刻膠的光刻對比曲線是工藝優化常用的參數之一。光致抗蝕劑的對比度曲線是顯影后剩余的抗蝕劑膜厚度,作為對數繪制的曝光劑量的函數[1]。測量方法:在本篇應用案例中,使用EBPG-5000+電子束工具以100千電子伏的速度在不同的曝光劑量下對負性抗蝕劑進行曝光,生成100×100μm正方形的陣列,每個正方形對應不同的曝光劑量。在顯影步驟之后,使用FR-μ探針顯微光譜儀工...

    • 2020

      9-16

      等離子處理中哪種頻率效果好?中頻?射頻?微波?KHz,中頻產生等離子體能量大,主要是物理作用;MHz,射頻產生等離子體能量和密度居中,為物理和化學作用;GHz,微波產生等離子體能量小,密度高,主要為化學作用;40kHz、13.56MHz和2.45GHz等離子體激發頻率運用:激發頻率為40kHz的等離子體即超聲等離子體清洗是以物理反應為主的等離子體清洗,也叫做濺射腐蝕(SPE)或離子銑(IM),其優點在于本身不發生化學反應,清潔表面不會留下任何的氧化物,可以保持被清洗物的化學純...

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