12英寸帶真空退火爐

1.溫度范圍：150–1,300℃；                              

2.升溫速率：1-200℃/秒可調；                              

3.溫度均勻性：±5℃（200mm wafer 1015℃）；                              

4.樣品尺寸：12寸或300×300mm（多溫區控制）；                

5.控制軟硬件：自研系統軟件，支持SEMI自動化標準，SECS/GEM通訊接口；可編程溫度曲線存儲500條以上, 每條曲線包括50段以上，數據可導出為文本文件便于數據處理。                                 

6.降溫速率：80℃/秒（急冷可選，降溫速率200℃/秒）；

7.溫度設定范圍：100-1,300℃，每段時間設定范圍1- 30,000秒；    

8.溫度過沖：＜5℃；                           

9.測溫系統：K型熱偶，雙點測溫（光學測溫可選）；                            

10.降溫系統：CDA，水冷；                               

11.控溫精度：±0.3℃；                              

12.PID溫控：PID溫控，在升溫速率下仍可保證不過沖；     

13.保溫時間：1200℃保溫時間＞600秒；                             

14.溫度穩態穩定性：±1℃；                             

15.工藝氣路：2路MFC（最多可選6路）；

12英寸帶真空退火爐應用領域：
硅基，三代，四代半導體制程工藝(RTP,RTA,RTO,RTN）
鐵電材料研究
薄膜應力調控
集成電路制造
材料物性測試前熱處理，熱振實驗
CMOS工藝優化
摻雜激活（離子注入后退火）
歐姆接觸退火（金屬化退火）
氧化/氮化處理
高k介質熱處理
硅片表面處理
太陽能電池制造
相變材料處理
薄膜應力調控
晶粒生長與結晶退火
新材料熱穩定性研究
MEMS器件加工
納米器件加工