韓國Mask Aligner光刻機(jī)

簡要描述：光刻是一種將圖案從玻璃光掩模轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體或玻璃基板上的光學(xué)技術(shù)。

產(chǎn)品型號：L-100和M-100
廠商性質(zhì)：代理商
更新時間：2025-07-02
訪問量：2037

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掩膜曝光光刻機(jī)

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L-100

光刻是一種將圖案從玻璃光掩模轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體或玻璃基板上的光學(xué)技術(shù)。L-100專為4英寸晶圓而設(shè)計，具有硬接觸、軟接觸和真空接觸三種接觸方式。對準(zhǔn)器有一個365nm的UV LED光源。365nm處的光功率為20mW/cm 。可用于商業(yè)半導(dǎo)體制造或大學(xué)實驗室晶圓制造以及MEMS領(lǐng)域。

技術(shù)參數(shù)

類型	PLC手動控制系統(tǒng)	波長	365 nm
掩膜版尺寸	5英寸	紫外光強(qiáng)度	20 ?
基片尺寸	4英寸晶圓	紫外線光束均勻度	≤3 %
分辨率	1 ?	接觸模式	真空/硬/軟
對準(zhǔn)精度	1 ?	顯微鏡	雙CCD變焦顯微鏡
		選配項	Anti-vibration table, IR BSA, CCD BSA

M-100

光刻是一種將圖案從玻璃光掩模轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體或玻璃基板上的光學(xué)技術(shù)。M-100專為4英寸晶圓而設(shè)計，具有硬接觸、軟接觸和真空接觸三種接觸方式。對準(zhǔn)器有一個350W的紫外線光源。365nm處的光功率為25mW/cm 。可用于商業(yè)半導(dǎo)體制造或大學(xué)實驗室晶圓制造以及MEMS領(lǐng)域。

技術(shù)參數(shù)

類型	PLC手動控制系統(tǒng)	波長	350 ~ 450 nm
掩膜版尺寸	最大5*5英寸	紫外光強(qiáng)度	15 ~ 25/ ?
基片尺寸	4英寸晶圓	紫外線光束均勻度	3 ~ 5 %
分辨率	1 ?	接觸模式	真空/硬/軟/接近
對準(zhǔn)精度	1 ?	顯微鏡	雙CCD變焦顯微鏡
紫外燈和電源	350W	選配項	Anti-vibration table, IR BSA, CCD BSA

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