UltraT進(jìn)口濕法刻蝕和剝離系統(tǒng)

簡介：這款蝕刻和清潔系統(tǒng)專為滿足當(dāng)今晶圓、光掩模和基板的前沿應(yīng)用的特殊工藝需求而設(shè)計。這款高效的蝕刻和清潔系統(tǒng)CESx124、126、128或133是理想選擇，可滿足不同大小尺寸的晶片、光掩模和襯底，不論是從小直徑還是非常大直徑。CESx可以配置多種工藝分配選項，Megasonic噴嘴對DI H20或化學(xué)藥品的處理分配選項；用于化學(xué)制劑的低壓噴嘴；化學(xué)加熱器和DI-H20；用于表面攪拌以加快反應(yīng)的刷子，和/或DI H20等。

可編程拋物線機械臂運動有助于確保均勻蝕刻。快速有效的干燥技術(shù)結(jié)合了可變的旋轉(zhuǎn)速度；可選加熱DI-H20和氮氣輔助。該系統(tǒng)非常安全，在接近基底之前，可以通過“漂洗至pH” 盡量減少對化學(xué)物質(zhì)的接觸。

特點：

• 專為重要控制和安全而設(shè)計的系統(tǒng)。
• 多達(dá)9x9英寸/ 300mm直徑的基板兼容性。
• 主軸組件具有直流無刷伺服電機，可實現(xiàn)準(zhǔn)確的速度控制和分度。
• 特氟龍涂層不銹鋼臂可調(diào)節(jié)臂速度和行進(jìn)位置。
• 徑向排氣腔，用于大層流，蓋子頂部有N2進(jìn)料。
• DI-H20加熱器，用于清潔和干燥輔助。
• 過程中包含化學(xué)相容性材料PVDF或可選的PTFE。
• 獨立式聚丙烯柜。
• 微處理器控制功能可以在存儲器中保留三十（30）步的配方，每個配方有三十（30）步。配方和步驟的數(shù)量均可根據(jù)要求擴展。
• 內(nèi)置安全聯(lián)鎖和雙重控制。
• 用聯(lián)鎖裝置沖洗整個工藝區(qū)域和基材的pH值，以禁止進(jìn)入工藝區(qū)域并控制排放和主軸轉(zhuǎn)速直到安全。
• 按鈕蓋打開/關(guān)閉。
• 觸摸屏圖形用戶界面（GUI），易于編程和安全鎖定，并帶有屏幕錯誤報告。
• 用于化學(xué)和房屋排水的排水分流閥。
• 設(shè)計符合SEMI S2 / S8準(zhǔn)則。

技術(shù)參數(shù)：

• 產(chǎn)品：蝕刻和剝離系統(tǒng)
• 型號：CESx124
• 可用機械臂：4
• 大基板尺寸：13英寸直徑
• 大主軸速度：2500
• 配方：高達(dá)30
• 分配管路：12

主營產(chǎn)品：

Laurell勻膠機    

Harrick等離子清洗機

Thetametrisis膜厚儀 

Microxact探針臺

ALD原子層沉積系統(tǒng)

TRION反應(yīng)離子刻蝕機

Uvitron紫外固化箱

NXQ紫外曝光光刻機      

Novascan紫外臭氧清洗機

Nilt納米壓印機

Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加熱板

Annealsys高溫退火爐

Kinematic程序剪切儀

Laurell EDC系統(tǒng)，濕站系統(tǒng)    

Wabash/Carver自動壓片機