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簡(jiǎn)要描述：美國(guó)RTP系列的快速退火爐溫度均勻度≤1%，處理的大尺寸可以達(dá)到200mm，溫度可以達(dá)到1200攝氏度，處理過程可以在真空環(huán)境或者惰性氣體的環(huán)境中執(zhí)行，做多可支持4~6路進(jìn)氣，可以用到的氣體包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。
產(chǎn)品型號(hào)：Solaris 150UV 廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2025-07-01訪 問 量：2571產(chǎn)品分類
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基于PID處理控制器的Solaris GUI可以存儲(chǔ)程序，每套程序可以支持高達(dá)100個(gè)步驟的設(shè)定，帶USB2.0的接口。包含Solaris GUI 軟件，與微軟Windows操作系統(tǒng)兼容。通過該軟件，通過鏈接電腦可以非常方便地實(shí)現(xiàn)程序編輯以及數(shù)據(jù)記錄。
技術(shù)規(guī)格：
- 溫度：1200攝氏度；
- 升溫速率：150攝氏度/秒；
- 溫控均勻性：±2.5℃設(shè)定溫度；
- 加熱方式：紅外鹵素?zé)簦敳考暗撞繀^(qū)域加熱；
- 處理時(shí)間：0.1秒至無*；
- 燈管數(shù)量及功率：13支，
- 腔體冷卻：風(fēng)冷方式；
- 襯底冷卻：氮?dú)獯祾撸?/span>
- 工藝氣路：MFC控制，多6路 (氮?dú)狻鍤?、氧氣、氫氮混合氣?/span>)；
型號(hào) | Solaris 100 | Solaris 150 | Solaris 150UV | Solaris 200 | Solaris Eclipse |
處理大樣品尺寸 | 100mm | 150mm | 150mm | 200mm | 200mm |
溫度(℃) | 室溫~1200℃/s | 室溫~1200℃/s | 室溫~1200℃/s | 室溫~1200℃/s | 室溫~1200℃/s |
工藝氣體 | 1~4路 | 1~6路 | 1~6路 | 1~6路 |
|
紅外鹵素?zé)?/span> | 13支 | 21支 |
| 28支 |
|
紅外鹵素?zé)衾鋮s方式 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 |
溫度控制 | PID數(shù)控 | PID數(shù)控 | PID數(shù)控 | PID數(shù)控 | PID數(shù)控 |
溫度精度 | ±2℃ | ±2℃ | ±2℃ | ±2℃ | ±2℃ |
熱電偶 | K型熱電偶 | K型熱電偶 | K型熱電偶 | K型熱電偶 | K型熱電偶 |
臭氧功能 |
|
| 有，蝕刻速率> 25-50A /min |
|
|
機(jī)器外觀 | 臺(tái)式機(jī) | 臺(tái)式機(jī) | 臺(tái)式機(jī) | 臺(tái)式機(jī) | 臺(tái)式機(jī) |
應(yīng)用領(lǐng)域：
快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);
快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);
快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);
硅化 (Silicidation);
擴(kuò)散 (Diffusion);
化合物半導(dǎo)體退火 (Compound Semiconductor Annealing);
離子注入后退火 (Implant Annealing);
電極合金化 (Contact Alloying);
晶向化和堅(jiān)化 (Crystallization and Densification);
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