Plasmionique支持 CVD / ALD / PECVD / RIE ，加拿大進(jìn)口桌面式設(shè)備，模塊化設(shè)計(jì)，可支持ALD原子層沉積，CVD化學(xué)氣相沉積，PECVD??等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和RIE??反應(yīng)離子刻蝕。

占地面積小的桌面系統(tǒng)（ 0.15 立方米 | 2.5 平方英尺） 具有超快 MFC 的高溫兼容快速脈沖 ALD 閥，用于集成惰性氣體吹掃。 4 英寸圓形卡盤(pán)可定制，適用于較小尺寸或其他形狀（11 毫米高）。 3 種有機(jī)金屬前體和 2 種（最多 3 種）反反應(yīng)物。 整個(gè)加熱管線（從前體到腔室）。 高曝光（用于溝槽和多孔基板）和靜態(tài)處理模式 全鋁（半導(dǎo)體級(jí)）腔室 ? 范圍高達(dá) 310°C

產(chǎn)品特點(diǎn) 美國(guó)ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng)，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可zui 多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。GEMStar XT全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03% 以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在8英寸基體上實(shí)現(xiàn)膜厚的不均勻性

原子層沉積（Atomic layer deposition）是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒āＴ訉映练e與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過(guò)程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。

原子層沉積系統(tǒng)（ALD）是一種基于自限制表面化學(xué)反應(yīng)的優(yōu)良薄膜沉積技術(shù)。通過(guò)交替通入不同前驅(qū)體氣體，在基底表面逐層形成單原子層厚度的薄膜，具有原子級(jí)精度控制和三維共形性覆蓋的特點(diǎn)，尤其適用于復(fù)雜結(jié)構(gòu)和高深寬比器件的均勻鍍膜。